MRF6VP11KHR6

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

110 V

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230

包装：

リール

構成：

デュアルコモンソース

高さ：

5.08 mm

長さ：

41.28 mm

シリーズ：

MRF6VP11KH

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

10.29 mm

ブランド：

NXP /フリースケール

チャネルモード：

強化

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

150

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

単位重量：

0.464036 oz

Tags

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