DMN2250UFB-7B

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

X1-DFN1006-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.35 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

170 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

350 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

3.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMN22

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

25.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.1 ns

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

59.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.3 ns

単位重量：

0.000035 oz

Tags

DMN22, DMN2, DMN