DMN66D0LT-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-523-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

115 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

200 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

1.6 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

DMN66

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

0.8 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

単位重量：

0.000071 oz

Tags

DMN66D0LT, DMN66D0, DMN66D, DMN66, DMN6, DMN