IPD60N10S4L-12

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

9.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

16 V

Qg-ゲートチャージ：

49 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

94 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

シリーズ：

XPD60N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

21 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD60N10S4L12ATMA1 IPD6N1S4L12XT SP000866550

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD60N10S4L, IPD60N1, IPD60N, IPD60, IPD6, IPD