SGL50N60RUFDTU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-264-3

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

600 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2.2 V

最大ゲートエミッタ電圧：

20 V

25℃での連続コレクタ電流：

80 A

Pd-消費電力：

250 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

SGL50N60RUFD

包装：

チューブ

連続コレクタ電流IcMax：

80 A

高さ：

26 mm

長さ：

20 mm

幅：

5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

80 A

ゲートエミッタリーク電流：

+/- 100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

375

サブカテゴリ：

IGBT

パーツ番号エイリアス：

SGL50N60RUFDTU_NL

単位重量：

0.238311 oz

Tags

SGL50N60RUFD, SGL50N60R, SGL50N, SGL50, SGL5, SGL