STD12N50M2

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

325 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

15 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

85 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

リール

シリーズ：

STD12N50M2

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

34.5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13.5 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STD12N5, STD12N, STD12, STD1, STD