C3M0120090D

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

SiC

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

23 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

120 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

Qg-ゲートチャージ：

17.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

97 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

21.1 m

長さ：

16.13 mm

製品：

パワーMOSFET

タイプ：

炭化ケイ素MOSFET

幅：

5.21 mm

ブランド：

Wolfspeed / Cree

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

27 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M