FDMQ8203

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

MLP-12

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V, 80 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

110 mOhms, 190 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V, 1.6 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

2.9 nC, 13 nC

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

デュアル

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

0.8 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

FDMQ8203

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6 S

立ち下がり時間：

1.9 ns, 2.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.3 ns, 2.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.007408 oz

Tags

FDMQ82, FDMQ, FDM