MRF1K50H-TF2

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

E

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

135 V

利得：

23.7 dB

出力電力：

1.5 kW

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-1230H-4S

動作周波数：

1.8 MHz to 500 MHz

シリーズ：

MRF1K50H

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXP /フリースケール

フォワード相互コンダクタンス-最小：

33.5 S

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

1.667 kW

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.7 V

パーツ番号エイリアス：

935336497598

Tags

MRF1K50H-T, MRF1K50H, MRF1K, MRF1, MRF