TH58NYG2S3HBAI4

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

NANDフラッシュ

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TFBGA-63

メモリー容量：

4 Gbit

インターフェイスタイプ：

平行

組織：

512 M x 8

タイミングタイプ：

同期

データバス幅：

8 bit

供給電圧-最小：

1.7 V

供給電圧-最大：

1.95 V

供給電流-最大：

30 mA

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

包装：

トレイ

メモリタイプ：

NAND

製品：

NANDフラッシュ

スピード：

25 ns

建築：

ブロック消去

ブランド：

東芝メモリ

最大クロック周波数：

-

感湿性：

はい

製品タイプ：

NANDフラッシュ

ファクトリーパックの数量：

210

サブカテゴリ：

メモリとデータストレージ

Tags

TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5