BSZ0909NS

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

34 V

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

12 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

6.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

25 W

構成：

独身

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3.3 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.2 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16 nS

パーツ番号エイリアス：

BSZ0909NSATMA1 BSZ99NSXT SP000832568

単位重量：

0.010582 oz

Tags

BSZ0909NS, BSZ0909, BSZ090, BSZ09, BSZ0, BSZ