MMDT5401Q-7-F

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-223-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 150 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.5 V

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

900

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

- 200 mA

Pd-消費電力：

3 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

MMDT540, MMDT54, MMDT5, MMDT, MMD