ZXMN6A08E6QTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-26-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

150 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

5.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

8.8 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

シリーズ：

ZXMN6

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

6.6 S

立ち下がり時間：

4.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.1 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12.3 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.6 ns

Tags

ZXMN6A08E, ZXMN6A08, ZXMN6A0, ZXMN6A, ZXMN6, ZXMN, ZXM