IXZ2210N50L2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 Ohms

出力電力：

270 W

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SMD-8

包装：

チューブ

動作周波数：

2 MHz to 110 MHz

シリーズ：

IXZ221

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.1 S

チャネル数：

2 Channel

Pd-消費電力：

270 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Tags

IXZ2, IXZ