APT10M11JVRU2

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

JBoss：

Y

製品：

パワーMOSFETモジュール

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

包装：

チューブ

構成：

独身

高さ：

9.6 mm

長さ：

38.2 mm

幅：

25.4 mm

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

立ち下がり時間：

9 ns

Id-連続ドレイン電流：

142 A

Pd-消費電力：

450 W

製品タイプ：

ディスクリート半導体モジュール

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

11 mOhms

立ち上がり時間：

48 ns

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

ディスクリート半導体モジュール

商標名：

POWER MOS V、ISOTOP

典型的なターンオフ遅延時間：

51 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

単位重量：

1.058219 oz

Tags

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