IXTA10P15T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

3 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

150 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

350 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Qg-ゲートチャージ：

36 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

83 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

12 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

40 ns

典型的なターンオン遅延時間：

19 ns

Tags

IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT