SQJQ900E-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-8x8L-4

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

40 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

120 nC, 120 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

135 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SQ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

105 S, 105 S

立ち下がり時間：

14 ns, 14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.5 ns, 7.5 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

30 ns, 30 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns, 14 ns

Tags

SQJQ90, SQJQ9, SQJQ, SQJ