2N5401CYTA

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

150 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

160 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

最大DCコレクタ電流：

0.6 A

ゲイン帯域幅積fT：

400 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

240

高さ：

4.58 mm

長さ：

4.58 mm

包装：

弾薬パック

幅：

3.86 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

- 600 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 50 at 50 mA, 5 V

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.007090 oz

Tags

2N5401C, 2N5401, 2N540, 2N54, 2N5