FDD86102

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

13.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 125 C

Pd-消費電力：

3.1 W

構成：

独身

商標名：

PowerTrench

包装：

リール

高さ：

2.39 mm

長さ：

6.73 mm

シリーズ：

FDD86102

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

フォワード相互コンダクタンス-最小：

21 S

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.009184 oz

Tags

FDD86102, FDD8610, FDD861, FDD86, FDD8, FDD