NTB5605PT4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

18.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

140 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

5 V

Qg-ゲートチャージ：

13 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

88 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.83 mm

長さ：

10.29 mm

シリーズ：

NTB5605P

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

9.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S

立ち下がり時間：

75 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

122 ns

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

29 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12.5 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

NTB5605PT, NTB5605P, NTB56, NTB5, NTB