NX3020NAKV,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-666-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

0.34 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

375 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

320 mS

立ち下がり時間：

17 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

4000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

34 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5 ns

単位重量：

0.000095 oz

Tags

NX3020NAKV, NX3020, NX302, NX30, NX3