ALD1102BSAL

製品属性

属性値

メーカー：

高度な線形デバイス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

10.6 V

Id-連続ドレイン電流：

16 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

270 Ohms

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

デュアル

包装：

チューブ

シリーズ：

ALD1102B

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

高度な線形デバイス

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.002998 oz

Tags

ALD1102, ALD110, ALD11, ALD1, ALD