SI2312CDS-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

6 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

31.8 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

18 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.45 mm

長さ：

2.9 mm

シリーズ：

SI2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.6 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

24 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

17 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

31 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8 ns

パーツ番号エイリアス：

SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3

単位重量：

0.000282 oz

Tags

SI2312CDS-T1-G, SI2312CDS-T, SI2312C, SI2312, SI231, SI23, SI2