TSM1NB60SCT A3

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

500 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

6.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

弾薬パック

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

台湾積体電路

フォワード相互コンダクタンス-最小：

0.8 S

立ち下がり時間：

14.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.8 ns

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15.3 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.7 ns

単位重量：

0.016000 oz

Tags

TSM1NB, TSM1N, TSM1, TSM