FPNH10

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

T

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

3 V

連続コレクタ電流：

0.05 A

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92

包装：

バルク

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

DC電流ゲインhFEMax：

60 at 4 mA at 10 V

高さ：

4.7 mm

長さ：

4.7 mm

動作周波数：

650 MHz

タイプ：

RFバイポーラ小信号

幅：

3.93 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

ゲイン帯域幅積fT：

650 MHz (Min)

最大DCコレクタ電流：

0.05 A

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.006286 oz

Tags

FPN