IXTY02N50D

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

500 V

Id-連続ドレイン電流：

200 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

30 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

-

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

-

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.1 W

構成：

独身

チャネルモード：

枯渇

包装：

チューブ

高さ：

2.38 mm

長さ：

6.73 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

IXTY02N50

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

-

幅：

6.22 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

-

開発キット：

-

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

70

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

28 ns

典型的なターンオン遅延時間：

9 ns

単位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTY02N50D, IXTY02N5, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT