STW12N150K5

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1.2 kV

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.9 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

47 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

MDmesh

包装：

チューブ

高さ：

5.15 mm

長さ：

20.15 mm

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

STW12N150K5

タイプ：

MDmesh K5

幅：

15.75 mm

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

37 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

90 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

1.340411 oz

Tags

STW12N1, STW12N, STW12, STW1, STW