2SD1815S-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-251-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

150 mV

最大DCコレクタ電流：

3 A

ゲイン帯域幅積fT：

180 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SD1815

DC電流ゲインhFEMax：

400

包装：

バルク

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

140

Pd-消費電力：

20 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.011993 oz

Tags

2SD1815S, 2SD1815, 2SD181, 2SD18, 2SD1, 2SD