T1G4020036-FL

製品属性

属性値

メーカー：

Cree、Inc。

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

N

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN

利得：

12 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

120 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 10 V, 2 V

Id-連続ドレイン電流：

12 A

出力電力：

85 W

最大ドレインゲート電圧：

28 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

スクリューマウント

パッケージ/ケース：

CG2H30070F

包装：

バルク

構成：

独身

動作周波数：

0.5 GHz to 3 GHz

ブランド：

Wolfspeed / Cree

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

- 2.8 V

Tags

T1G402, T1G4, T1G