STB45N60DM2AG

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

34 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

93 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

56 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

MDmesh

包装：

リール

高さ：

4.6 mm

長さ：

10.4 mm

製品：

パワーMOSFET

シリーズ：

STB45N60DM2AG

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

タイプ：

高電圧

幅：

9.35 mm

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

85 ns

典型的なターンオン遅延時間：

29 ns

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB45N6, STB45N, STB45, STB4, STB