PTFA211801F V4 R250

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1.3 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

50 mOhms

利得：

17.5 dB

出力電力：

180 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

H-34288-4/2

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

4.11 mm

長さ：

23.11 mm

動作周波数：

2170 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

13.72 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

56.5 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

パーツ番号エイリアス：

FA211801FV4R25XT

Tags

PTFA211801F, PTFA2118, PTFA211, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF