PSMN2R0-30PL,127

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

117 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

211 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

59 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

125 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

111 ns

典型的なターンオン遅延時間：

63 ns

単位重量：

0.211644 oz

Tags

PSMN2R0-30P, PSMN2R0-3, PSMN2R0, PSMN2, PSMN, PSM