2N4126 TRE

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

25 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

25 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.4 V

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2N4126E

DC電流ゲインhFEMax：

360 at 2 mA, 1 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

200 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60 at 50 mA, 1 V

Pd-消費電力：

1.5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

2000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N4126 PBFREE TRE

Tags

2N4126T, 2N4126, 2N412, 2N41, 2N4