VEC2616-TL-H

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VEC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

137 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

10 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

900 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

VEC2616

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.5 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

41 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.3 ns

Tags

VEC2616-TL-H, VEC2616-T, VEC2616, VEC261, VEC26, VEC2, VEC