CSD86356Q5DT

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

40 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

950 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

7.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

12 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

シリーズ：

CSD86356Q5D

トランジスタタイプ：

PowerBlock

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

70 S

立ち下がり時間：

3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

26 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

Tags

CSD8635, CSD86, CSD8, CSD