PMGD280UN,115

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

870 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

340 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

450 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

0.89 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

0.4 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

1.35 mm

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.5 ns

パーツ番号エイリアス：

PMGD280UN T/R

単位重量：

0.000265 oz

Tags

PMGD280UN,1, PMGD28, PMGD2, PMGD, PMG