DN0150ALP4-7B

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN1006H4-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

250 mV

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

60 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

DN0150

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

120

Pd-消費電力：

450 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

DN0150ALP4-7, DN0150AL, DN0150A, DN015, DN01, DN0