BSC018NE2LSI

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

48 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

69 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.27 mm

長さ：

5.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.15 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

65 S

立ち下がり時間：

3.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4.8 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.2 ns

パーツ番号エイリアス：

BSC018NE2LSIATMA1 BSC18NE2LSIXT SP000906030

単位重量：

0.004176 oz

Tags

BSC018NE2LSI, BSC018NE2LS, BSC018NE, BSC018, BSC01, BSC0, BSC