PMGD175XNEX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

950 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

252 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

750 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

1.05 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

390 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Nexperia

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.5 S

立ち下がり時間：

6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

17 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7 ns

単位重量：

0.000265 oz

Tags

PMGD175XNE, PMGD17, PMGD1, PMGD, PMG