RW1A013ZPT2R

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-563T-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

190 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

700 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

RW1A013ZP

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

RW1A013ZP

単位重量：

0.000106 oz

Tags

RW1A01, RW1A0, RW1A, RW1