STL12N60M6

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerFLAT5x6-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

6.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

490 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.25 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

25 V

Qg-ゲートチャージ：

12.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

48 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

9.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

6.4 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23.9 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16.6 ns

Tags

STL12N60, STL12N6, STL12N, STL12, STL1, STL