2N5883G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-204-2

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

25 A

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2N5883

高さ：

8.51 mm

長さ：

39.37 mm

包装：

トレイ

幅：

26.67 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

25 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

Pd-消費電力：

200 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.432000 oz

Tags

2N5883, 2N588, 2N58, 2N5