2N5912

製品属性

属性値

メーカー：

InterFET

製品カテゴリ：

JFET

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

SOIC-8

トランジスタの極性：

Nチャネル

構成：

独身

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

10 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

25 V

Vgs = 0でのドレイン-ソース電流：

40 mA

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

包装：

バルク

タイプ：

JFET

ブランド：

InterFET

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5000 uS

ゲート-ソースカットオフ電圧：

5 V

ファクトリーパックの数量：

1

パーツ番号エイリアス：

IFN5912

Tags

2N591, 2N59, 2N5