FQAF11N90C

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3PF-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

900 V

Id-連続ドレイン電流：

7.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1.1 Ohms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

120 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

QFET

包装：

チューブ

高さ：

26.7 mm

長さ：

15.7 mm

シリーズ：

FQAF11N90C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

5.7 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

85 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

130 ns

ファクトリーパックの数量：

360

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

130 ns

典型的なターンオン遅延時間：

60 ns

パーツ番号エイリアス：

FQAF11N90C_NL

単位重量：

0.245577 oz

Tags

FQAF11, FQAF1, FQAF, FQA