IXFX160N30T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

300 V

Id-連続ドレイン電流：

160 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

335 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.39 kW

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

21.34 mm

長さ：

16.13 mm

シリーズ：

IXFX160N30

タイプ：

GigaMOSパワーMOSFET

幅：

5.21 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

100 S

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

38 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

105 ns

典型的なターンオン遅延時間：

37 ns

単位重量：

0.257500 oz

Tags

IXFX1, IXFX, IXF