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IPD90R1K2C3

IPD90R1K2C3
Mfr. #:
IPD90R1K2C3
メーカー:
Infineon Technologies
説明:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2 CoolMOS C3
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
IPD90R1K2C3 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
製品属性
属性値
メーカー
インフィニオンテクノロジーズ
製品カテゴリ
FET-シングル
シリーズ
CoolMOS
包装
Digi-ReelR代替パッケージ
パーツエイリアス
IPD90R1K2C3BTMA1 IPD90R1K2C3XT SP000413720
単位重量
0.139332 oz
取り付けスタイル
SMD / SMT
商標名
CoolMOS
パッケージ-ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
テクノロジー
Si
作動温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
表面実装
チャネル数
1 Channel
サプライヤー-デバイス-パッケージ
PG-TO252-3
構成
独身
FETタイプ
MOSFET Nチャネル、金属酸化物
パワーマックス
83W
トランジスタタイプ
1 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
900V
入力-静電容量-Ciss-Vds
710pF @ 100V
FET機能
標準
Current-Continuous-Drain-Id-25°C
5.1A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3.5V @ 310μA
ゲートチャージ-Qg-Vgs
28nC @ 10V
Pd-電力損失
83 W
最高作動温度
+ 150 C
最低作動温度
- 55 C
立ち下がり時間
40 ns
立ち上がり時間
20 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-連続-ドレイン-電流
5.1 A
Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧
900 V
Rds-On-Drain-Source-Resistance
1.2 Ohms
トランジスタ-極性
Nチャネル
典型的なターンオフ遅延時間
400 ns
典型的なターンオン遅延時間
70 ns
チャネルモード
強化
Tags
IPD90R, IPD90, IPD9, IPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
モデル メーカー 説明 ストック 価格
IPD90R1K2C3BTMA1
DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPD90R1K2C3BTMA1
    DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      IPD90R1K2C3BTMA1
      DISTI # IPD90R1K2C3BTMA1DKR-ND      		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        IPD90R1K2C3BTMA1
        DISTI # 2726059        		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, TO-252-3
        RoHS: Compliant        		0
        • 1000:$1.1400
        • 500:$1.4400
        • 100:$1.7400
        • 10:$2.2300
        • 1:$2.5000
        画像 モデル 説明
        IPD90N10S4L06ATMA1

        Mfr.#: IPD90N10S4L06ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N10S4L06ATMA1

        		 MOSFET MOSFET
        IPD90N03S4L-02

        Mfr.#: IPD90N03S4L-02

        OMO.#: OMO-IPD90N03S4L-02

        		 MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        IPD90P04P4-05

        Mfr.#: IPD90P04P4-05

        OMO.#: OMO-IPD90P04P4-05

        		 MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
        IPD90N03S4L02ATMA1

        Mfr.#: IPD90N03S4L02ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N03S4L02ATMA1

        		 MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        IPD90N04S4-04(SP0006461

        Mfr.#: IPD90N04S4-04(SP0006461

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4-04-SP0006461-1190

        		 ブランドニューオリジナル
        IPD90N04S4L-04.

        Mfr.#: IPD90N04S4L-04.

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4L-04--1190

        		 ブランドニューオリジナル
        IPD90N04SL-04

        Mfr.#: IPD90N04SL-04

        OMO.#: OMO-IPD90N04SL-04-1190

        		 ブランドニューオリジナル
        IPD90N06S4L06ATMA1

        Mfr.#: IPD90N06S4L06ATMA1

        OMO.#: OMO-IPD90N06S4L06ATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
        IPD90P04P4L-04

        Mfr.#: IPD90P04P4L-04

        OMO.#: OMO-IPD90P04P4L-04-1190

        		 Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
        IPD90N04S4-03

        Mfr.#: IPD90N04S4-03

        OMO.#: OMO-IPD90N04S4-03-317

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
        可用性
        ストック:
        Available
        注文中:
        1500
        数量を入力してください:
        IPD90R1K2C3の現在の価格は参考用です。最高の価格をご希望の場合は、お問い合わせまたは直接メールで営業チーム[email protected]までご連絡ください。
        参考価格（USD）
        量
        単価
        小計金額
        1
        $0.00
        $0.00
        10
        $0.00
        $0.00
        100
        $0.00
        $0.00
        500
        $0.00
        $0.00
        1000
        $0.00
        $0.00
        皮切りに
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