RF4E070BNTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN2020-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

28.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

8.9 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

包装：

リール

シリーズ：

RF4E070BN

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

パーツ番号エイリアス：

RF4E070BN

Tags

RF4E070B, RF4E070, RF4E07, RF4E0, RF4E, RF4