2SB1205S-TL-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 20 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 25 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 250 mV

最大DCコレクタ電流：

- 8 A

ゲイン帯域幅積fT：

320 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SB1205

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

Pd-消費電力：

10 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

700

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SB1205, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB