2N5859

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

40 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.7 V

ゲイン帯域幅積fT：

250 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N5859

DC電流ゲインhFEMax：

120

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

2 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

15

Pd-消費電力：

5 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N5859 PBFREE

Tags

2N585, 2N58, 2N5