IPD30N08S2-22

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

75 V

Id-連続ドレイン電流：

30 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17.4 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

57 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

136 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

2.3 mm

長さ：

6.5 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

6.22 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

30 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

IPD30N08S222ATMA1 IPD3N8S222XT SP000252169

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD30N08, IPD30N0, IPD30N, IPD30, IPD3, IPD